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可用于卫星通讯功率放大器——超级冷却金刚石上GaN
2018-06-29
目前而言最先进的商业卫星以100-200Mbps的速度传输于地球,而对于一些先进的大型单一卫星概念目标为1至4Gbps。这些速率数据很大程度受限于制作信号传输器的射频功率放大器。Akash首次建造了一个小型卫星系统(12U),它将初步实现14Gbps的下行数据速率。接下来的demo数据速率将超过100Gbps,而最终目标定为一个普通的卫星的下行速率达到1Tbps。为达到最终目标,他们将使用金刚石上的GaN射频功率放大器。
Akash Systems公司的联合创始人Felix Ejeckam于2003年发明了金刚石上的GaN,以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量。其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能,减少浪费。金刚石上的GaN晶片是通过GaN通道或外延将其从原始的Si衬底中剥离下来,而后通过一个35 nm的SiN界面层结合在CVD合成的金刚石衬底上。这种200°C的GaN通道与CVD形成纳米级的金刚石是接近最导热工业材料,它会大大降低放大器的基板和通道之间的温度上升。图1显示了金刚石晶圆片上GaN的制作过程。多年来,许多课题组已经量化了上述的热改善。先将Si基GaN HEMT晶圆片黏贴到一个临时Si载片上,待原始的硅基板被蚀刻掉,然后利用CVD方法在GaN层下方的35 nm的界面层上沉积金刚石。最后,临时的Si载体被蚀刻,最终的金刚石上的GaN晶圆被加工为HEMTs或MMICs。

系统影响
与SiC基GaN相比,如果GaN MMIC产生的热量可以降低40%到50%,那么就可以将更大的功率密度压缩到更小的体积空间中。功率是卫星下行数据速率计算的直接参数,功率越高,传送的信息越多。在非常紧凑的空间中,使用金刚石上GaN可以降低对于冷却系统的要求。因为与使用标准的SiC基GaN功率放大器相比,金刚石上GaN的使用可以允许环境温度升高得更高,同时不会降低性能与可靠性。冷却装置的减少也意味着重量和尺寸的减少,这都是卫星系统送入轨道成本的关键参数。
性  能
Akash的设计师最近展示了高性能的金刚石基GaN晶体管(简化的功率放大器)。在k波段20GHZ频率下表现出60%的功率附加效率(PAE) (参见图2)。最近由美国国防部高级研究计划局资助,来自佐治亚理工学院、斯坦福大学、加州大学洛杉矶分校和第六元素的一组研究员共同研究GaN器件的温升发现:从GaN通道到衬底底部的温度是变化的,与相同的SiC基GaN器件相比温度降低80℃。这项研究所用的晶圆等同于Akash Systems用的金刚石上GaN。
图2:使用增益为7.9 dB 的2.9 W (5.6 W/mm)HEMT的示例设备得到的PAE为61%,偏置点为24 V
图3显示了不同类型的金刚石上GaN晶圆的10 finger HEMT从中心到边缘的通道的温度分布。Akash Systems采用“有低热边界阻抗(TBR)的梯度金刚石”制作金刚石上GaN (绿色);这条曲线呈现152°C峰值温度(第一个峰值)。SiC基GaN在器件上同一点的温度是232℃。

图3:显示了不同类型的金刚石上GaN的10 finger HEMT晶圆片的通道中心到边缘的温度分布
Akash Systems计划在2019年发射一个24公斤12U (36cm x24cm x23cm )的卫星系统进入LEO轨道,它将包含一个以金刚石基GaN功率放大器为基础的20瓦的信号传送器。该系统将展现一个具有里程碑意义的14gbps数据速率,对于这样尺寸的卫星系统是独一无二的。
此文译于:
http://www.microwavejournal.com/articles/30451-ultra-cool-gan-on-diamond-power-amplifiers-for-satcom
  参  考
1.F. Ejeckam, D. Francis, F. Faili, D.J. Twitchen,B. Bolliger, J. Felbinger and D. Babic, “S2-T1: GaN on Diamond: A Brief History,” Lester Eastman Conference on High Performance Devices, August 5–7 2014, DOI: 10.1109/LEC.2014.6951556. INSPEC Accession Number:14775316.
2.L. Yates, A. Sood, Z. Cheng, T. Bougher, K.Malcom, J. Cho, M. Asheghi, K. Goodson, M. Goorsky, F. Faili, D.J.Twitchen and S. Graham, “Characterization of the Thermal Conductivity of CVD Diamond for GaN on Diamond Devices,” Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) 2016 IEEE, pp. 1–4.
3.G.D. Via, J.G. Felbinger, J. Blevins, K. Chabak,G. Jessen, J. Gillespie, R. Fitch, A. Crespo, K. Sutherlin, B. Poling, S. Tetlak,R. Gilbert, T. Cooper, R. Baranyai, J.W. Pomeroy, M. Kuball, J.J. Maurer and A. Bar-Cohen, “Wafer-Scale GaN HEMT Performance Enhancement by Diamond Substrate Integration,”10th International Conference on Nitride Semiconductors, August 25-30, 2013, Washington, D.C.
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